Projeto usado nos EUA , principalmente pelo chip IRS2092S, transistores de saída MOSFET dedicado IRFB4227.
parâmetro:

potência: 400 W 8R (DC +/-75 V)
600 W 4R (DC +/-75 V)
850 W 2R (DC +/-75 V)

faixa de tensão de alimentação: DC +/-60 V --- DC +/-80 V,
recomendado tensão DC +/- 70-75 V

distorção: 0.07% THD + N 600 W 2R

ganho de tensão: 36 db

Impedância de carga: 2 ohm

Consumo De Energia Total em repouso: 13.2 W

Eficiência do sistema: 90% 600 W 2R

Faixa dinâmica: 99.4 db

Ruído Residual: 290 UV

Fator de amortecimento: > 70 (1 KHZ 2R)

Resposta de freqüência: 10Hz-20 kHz +-1DB

Desempenho térmico: Marcha Lenta carga < 60C

125 W < 104C

850 W 2R < 118C ( ventilador necessário para um longo período de tempo de funcionamento)

PCB Tamanho: 129mm * 72mm



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(ALIMENTADOR)